1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -60А; 115Вт; TO220

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -60А; 115Вт; TO220
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G230P06T
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G230P06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 62нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 115Вт
Струм стока: -60А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 210кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: провід-провід; Mini-Fit Jr; прямий; 9А; затискання
Роз’єм: провід-провід; Mini-Fit Jr; прямий; 9А; затискання

0,00 грн

Електричний монтаж:
затискання
Максимальний струм:
9А
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Резистор: thick film; 232Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 232Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 200А; SEL200B
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 200А; SEL200B

2130,01 грн

Зовнішні розміри:
69x34x60,8мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
200А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Резистор: thin film; 417Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 417Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

5,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; IPAK

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,7нКл
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -280мА; Idm: -3А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -280мА; Idm: -3А; 1Вт; TO92

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -33,2А; 160Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -33,2А; 160Вт; TO220AB

227,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -5,4А; 42Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -5,4А; 42Вт; TO220FP

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2А; Idm: -14А; 40Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2А; Idm: -14А; 40Вт; TO220AB

121,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -27А; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -27А; TO220AB

136,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT