1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -65А; 130Вт; TO220

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -65А; 130Вт; TO220
Немає в наявності
Код товару: G65P06T
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G65P06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: -65А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; SMD; QFN44; PIC16; 28кБFLASH
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; SMD; QFN44; PIC16; 28кБFLASH

86,16 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
ADC; I2C; I2C x2; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
36
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В

0,25 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 2; IN: 2
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 2; IN: 2

29,84 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість виходів:
2
Кількість каналів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 4,53МОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 4,53МОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,47 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 600В; If: 42А; Ifsm: 390А; THT
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 600В; If: 42А; Ifsm: 390А; THT

280,03 грн

Виводи:
пласкі шпильки
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Модель:
плоский
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1748,61 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,335А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0603

17,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -17А; 21Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -17А; 21Вт; TO220F

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; 25Вт; IPAK,TO251
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; 25Вт; IPAK,TO251

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -53А; 312Вт; 315нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -53А; 312Вт; 315нс

451,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
205нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT