1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -65А; 130Вт; TO263

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -65А; 130Вт; TO263
Немає в наявності
Код товару: G170P06M
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G170P06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: -65А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 31; кутовий; на панель,на PCB; THT
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 31; кутовий; на панель,на PCB; THT

838,19 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
31
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; прецизійний; SMD; 2512; 1Вт; ±0,5%; 500В
Резистор: thick film; 1кОм; прецизійний; SMD; 2512; 1Вт; ±0,5%; 500В

0,00 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Недоступний
Screwdriver bit: Pozidriv®; PZ3; 1/4"; Overall len: 50mm
Screwdriver bit: Pozidriv®; PZ3; 1/4"; Overall len: 50mm

155,22 грн

Type of screwdriver bit:
Pozidriv®
Вид рукоятки:
F6,3mm
Загальна довжина:
50мм
Модель:
BiTorsion
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В

0,32 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Кабель; 500мм; Fakra "папа",Fakra "мама"; прямий
Кабель; 500мм; Fakra "папа",Fakra "мама"; прямий

662,06 грн

Вживання - марка автомобіля:
універсальний
Вид кабелю:
RG174
Довжина кабелю:
0,5м
Колір роз'єму:
морської хвилі
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD