1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -10,2А; Idm: -25А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -10,2А; Idm: -25А
Немає в наявності
Код товару: SI8457DB-T1-E1
17,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI8457DB-T1-E1
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93нКл
Корпус: MICROFOOT® 1.6x1.6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,7Вт
Струм стока: -10,2А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В

340,22 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
24В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: PMIC; Uвх: 4÷40В; Uробоча: 4÷40В; Uвих: 12В; TO263-5; buck
IC: PMIC; Uвх: 4÷40В; Uробоча: 4÷40В; Uвих: 12В; TO263-5; buck

74,76 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
4...40В
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Модуль автоматики: softstart; на шину DIN; 11кВт; 1÷10/1÷10с; 22А
Модуль автоматики: softstart; на шину DIN; 11кВт; 1÷10/1÷10с; 22А

13369,88 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Монтаж:
на шину DIN
Постійний номінальний струм:
22А
Потужність двигуна макс.:
11кВт
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
280нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK

178,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В