Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8,2А; Idm: -30А

Немає в наявності
Код товару: SI6423DQ-T1-E3
51,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI6423DQ-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 8,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,67Вт
Струм стока: -8,2А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 87; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 87; THT; straight

89,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,плоський; 7/16"; 120мм
Наконечник ключа; динамометрична,плоський; 7/16"; 120мм

3694,89 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; плоський
Використання інструментів:
динамометричний ключ
Довжина:
120мм
Недоступний
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -1,2А; 150мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -1,2А; 150мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11,7нКл
Корпус:
SOT23-6