Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12,3А; 3,2Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI4403DDY-T1-GE3
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,2Вт
Струм стока: -12,3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В

6,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Довжина:
5,8мм
Допуск:
±1%
Резистор: thin film; 180Ом; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 180Ом; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C

36,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
180Ом
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 5мкА; Ufmax: 1,1В

672,83 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Симістор; 800В; 8А; Igt: 25мА; TO220F; туба; Ifsm: 80А
Симістор; 800В; 8А; Igt: 25мА; TO220F; туба; Ifsm: 80А

18,88 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET