1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -18,6А; Idm: -60А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -18,6А; Idm: -60А
Немає в наявності
Код товару: SI4463CDY-T1-GE3
78,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 162нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -18,6А
Струм стоку в імпульсі: -60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 15кОм; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,26 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
15кОм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

9,50 грн

Alias:
KAF15AR71E104KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0603

2,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; SPI x2; USART x3; USB
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 56мОм; 1210; ±5%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 56мОм; 1210; ±5%; -55÷155°C; 100ppm/°C

2,65 грн

Допуск:
±5%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8