Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -30А; Idm: -80А

Немає в наявності
Код товару: SIS435DNT-T1-GE3
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS435DNT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 180нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: -30А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Датчик: термостат; NC; Topen: 20°C; Tclos: 10°C; 10А; 240ВAC; ±4°C
Датчик: термостат; NC; Topen: 20°C; Tclos: 10°C; 10А; 240ВAC; ±4°C

1144,83 грн

Допуск:
±4°C
Зовнішні розміри:
Ø16x12мм
Конфігурація виходу:
NC
Підключення:
роз’єм 6,4мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 4МГц; CMOS; 2,7÷5,5ВDC; THT; DIP18
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 4МГц; CMOS; 2,7÷5,5ВDC; THT; DIP18

122,28 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
CMOS
Недоступний
Резистор: thin film; 115Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 115Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 5м
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 5м

8307,16 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Категорія Ethernet:
Cat 5e
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

1,47 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 750Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 750Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

55,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 20кsps; 4,5÷5,25В; SO8
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 20кsps; 4,5÷5,25В; SO8

0,00 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±2LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD