1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А
Немає в наявності
Код товару: SI7629DN-T1-GE3
85,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7629DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 177нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 11,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

88,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 180мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 180мкФ; 100ВDC; ±20%

33,20 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
30,5мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 250V

295,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,2Вт; SOT23

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -20А; Idm: -80А; 27,8Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -20А; Idm: -80А; 27,8Вт; TO252

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO252