Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А

Немає в наявності
Код товару: SI7629DN-T1-GE3
85,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7629DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 177нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 11,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 220мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,27 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: high current; 5A; Ø: 2.3mm; HSS-120; steel; 1.5N; 10mΩ
Test probe: high current; 5A; Ø: 2.3mm; HSS-120; steel; 1.5N; 10mΩ

568,93 грн

Type of test probe:
high current
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Провід; UNITRONIC® LiYY BK; LiYY; 3x0,75мм2; неекранований; 500В
Провід; UNITRONIC® LiYY BK; LiYY; 3x0,75мм2; неекранований; 500В

77,29 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYY
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 50ВDC; ±20%

39,91 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 250ВAC; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 250ВAC; ±10%; SMD; 1210

31,99 грн

Властивості конденсаторів:
soft termination
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23