Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Brand: VISHAY
SKU: SI3443DDV-T1-GE3
Price: 25.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI3443DDV-T1-GE3

25,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SI3443DDV-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

30нКл

Корпус:

SC74; TSOP6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

90мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,7Вт

Струм стока:

-4А

Струм стоку в імпульсі:

-20А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
58,4нКл

Корпус:
PDFN5060-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
PDFN3030-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9,6нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-5...20В