Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6,7А; Idm: -25А

Немає в наявності
Код товару: SI3469DV-T1-E3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3469DV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 51мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -6,7А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Провід: коаксиальний; дріт; OFC; LSZH; 100м; брак класифікації
Провід: коаксиальний; дріт; OFC; LSZH; 100м; брак класифікації

288,90 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка Al; подвійно екранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
OFC
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CQ; 200В

1,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
IC: пам'ять EPROM; 512кбEPROM; 64Кx8бит; 5В; 70нс; PLCC32; туба
IC: пам'ять EPROM; 512кбEPROM; 64Кx8бит; 5В; 70нс; PLCC32; туба

147,62 грн

Вид пам’яті:
EPROM OTP
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PLCC32
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

11,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 330Ом; 0603; 167мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 330Ом; 0603; 167мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
330Ом
Вентилятор: DC; 80x80x38мм; осьовий; 24ВDC; 135,089м3/г; 61дБА
Вентилятор: DC; 80x80x38мм; осьовий; 24ВDC; 135,089м3/г; 61дБА

3010,01 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Додаткові функції:
aвторестарт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -8,8А; Idm: -15А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -8,8А; Idm: -15А

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34,8нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; польовий; -40В; -40А; 58Вт
Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; польовий; -40В; -40А; 58Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
PG-TO252-3-313
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,6А; 450мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,6А; 450мВт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
34нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,2нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
X1-DFN1212-3