Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -60А; Idm: -100А

Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -60А; Idm: -100А
Brand: VISHAY
SKU: SI7141DP-T1-GE3
Price: 63.36 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI7141DP-T1-GE3

63,36 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI7141DP-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

400нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

3мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

104Вт

Струм стока:

-60А

Струм стоку в імпульсі:

-100А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-55В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
10нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
9нКл

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
MicroFET