Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -9А; Idm: -40А

Немає в наявності
Код товару: SIA459EDJ-T1-GE3
9,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA459EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 10Вт
Струм стока: -9А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thick film; 3,9МОм; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9МОм; ±5%; -55÷155°C

44,35 грн

Допуск:
±5%
Опір:
3,9мОм
Робоча температура:
-55...155°C
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A

229,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика

16414,74 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
еластомер термопластичний TPE
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V

17,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Фільтр: проти перешкод; DC; 36ВDC; Вив: затискна планка
Фільтр: проти перешкод; DC; 36ВDC; Вив: затискна планка

1402,05 грн

Виводи:
затискна планка
Вид фільтру:
DC
Монтаж:
пригвинчуваний
Робоча напруга:
36В DC
Ключ: шестигранний; Hex-Plus,кулевидна; HEX 2мм; Довж.заг: 101мм
Ключ: шестигранний; Hex-Plus,кулевидна; HEX 2мм; Довж.заг: 101мм

259,12 грн

Вид ключа:
Hex-Plus; кулевидна
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Загальна довжина:
101мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 8,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В
Резистор: вуглецевий; 8,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,24мм
Допуск:
±2%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET