Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIA469DJ-T1-GE3
33,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIA469DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15,6Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; 1м; тросик; CCA; ПВХ; 26AWG
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; 1м; тросик; CCA; ПВХ; 26AWG

80,46 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Недоступний
Резистор: thin film; 5,76кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 5,76кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,29 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Модуль: діодний; одиночний діод; 600В; If: 70А; D55/T-module; 500нс
Модуль: діодний; одиночний діод; 600В; If: 70А; D55/T-module; 500нс

1658,01 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
D55/T-module
Недоступний
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V

228,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 180В; 1,7А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 400Вт; 180В; 1,7А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
154В
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263

345,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Монтаж:
SMD