Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIA483DJ-T1-GE3
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIA483DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 820кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 464Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 464Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 287кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 287кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263

345,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Монтаж:
SMD