1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -80А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -80А
Немає в наявності
Код товару: SI4103DY-T1-GE3
23,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4103DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,14мкКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 10,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,2Вт
Струм стока: -16А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V

22,17 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 12мкГн; 380мА; R: 0,62Ом; ±5%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 12мкГн; 380мА; R: 0,62Ом; ±5%; LQH

7,29 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
12мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Резистор: thick film; 27,4кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 27,4кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,22 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 100мкФ; 400ВDC; Ø22x25мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 100мкФ; 400ВDC; Ø22x25мм

142,55 грн

Висота:
25мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
22мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Iвих: 6,25А; Half Brick; на панель
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Iвих: 6,25А; Half Brick; на панель

11872,80 грн

Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
6,25А
Зовнішні розміри:
107,95x101,6x38,1мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 649Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 649Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50ВDC; ±5%; SMD; Thk: 0,6мм
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50ВDC; ±5%; SMD; Thk: 0,6мм

3,07 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
2,7нФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
50В DC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64,6нКл
Корпус:
TO263