1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -19,3А; 5,6Вт

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -19,3А; 5,6Вт
Немає в наявності
Код товару: SI4153DY-T1-GE3
18,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4153DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,6Вт
Струм стока: -19,3А
Струм стоку в імпульсі: -100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 6800мкФ; 16ВDC; Ø18x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 6800мкФ; 16ВDC; Ø18x25мм; ±20%

43,72 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
6,8мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; CQ; 200В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 10A; Imax: 10A
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 10A; Imax: 10A

3,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальна напруга:
250В AC
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 56Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0402

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Підставка; PIN: 8; 10А; 250ВAC; на панель; гвинтові виводи; octal
Підставка; PIN: 8; 10А; 250ВAC; на панель; гвинтові виводи; octal

448,56 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Електричне під'єднування:
кругле гніздо
Застосування - серія/виробник:
R15
Кількість пін:
8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -90А; Idm: -90А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -90А; Idm: -90А

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
326нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт

10,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3