Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,6А; Idm: -8А

Немає в наявності
Код товару: SI3993CDV-T1-GE3
11,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3993CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 111мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: -2,6А
Струм стоку в імпульсі: -8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Варистор: металооксидний; THT; 250ВAC; 320ВDC; 23мм; -40÷125°C
Варистор: металооксидний; THT; 250ВAC; 320ВDC; 23мм; -40÷125°C

71,59 грн

Діаметр:
23мм
Монтаж:
THT
Робоча напруга макс.:
250В AC; 320В DC
Робоча температура:
-40...125°C
Діод: TVS; 5кВт; 32,8В; 112,3А; односпрямована; ±5%; P600; 5KP
Діод: TVS; 5кВт; 32,8В; 112,3А; односпрямована; ±5%; P600; 5KP

96,30 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
28В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THR,THT; 3A

141,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 261кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 261кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,45нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8