1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -25,3А; Idm: -70А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -25,3А; Idm: -70А
Немає в наявності
Код товару: SI4143DY-T1-GE3
16,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4143DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 167нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6Вт
Струм стока: -25,3А
Струм стоку в імпульсі: -70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 2,5ВDC; Iвих: 3А; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 2,5ВDC; Iвих: 3А; THT

395,34 грн

Вихідна напруга:
2,5В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
4,6...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷28ВDC; Uвих: 0,6÷5ВDC; 17А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷28ВDC; Uвих: 0,6÷5ВDC; 17А; SMD

2381,53 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
лоток
Вихідна напруга:
0,6...5В DC
Вихідний струм:
17А
Недоступний
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±20ppm

10,83 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD