Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А
Brand: VISHAY
SKU: SI7129DN-T1-GE3
Price: 32.94 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А

Немає в наявності

Код товару: SI7129DN-T1-GE3

32,94 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI7129DN-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

71нКл

Корпус:

PowerPAK® 1212-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

20мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

52,1Вт

Струм стока:

-35А

Струм стоку в імпульсі:

-60А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.6N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT

Вигин пружини макс.:
5,3мм

Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні

Діаметр наконечника:
2мм

Недоступний

Бажані

IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц

0,00 грн

Вид пам’яті:
FRAM

Інтерфейс:
SPI

Корпус:
GQFN8

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Допуск:
±5%

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
58,4нКл

Корпус:
PDFN5060-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
PDFN3030-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9,6нКл

Корпус:
SOP8