Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -40А; Idm: -70А

Немає в наявності
Код товару: SI7139DP-T1-GE3
36,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7139DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 146нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 5,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: -40А
Струм стоку в імпульсі: -70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 110В; DO35; 50нА; Ufmax: 1,4В
Діод: зенера; 500мВт; 110В; DO35; 50нА; Ufmax: 1,4В

397,87 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
110В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 56340; лоток
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 56340; лоток

9298,67 грн

Вид упаковки:
лоток
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Число макровічок:
56340
Недоступний
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SPST-NO
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SPST-NO

13818,44 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
SPST-NO
Вид датчика температури:
JPt100; Pt100; термопара B; термопара C; термопара E; термопара J; термопара K; термопара L; термопара N; термопара PLII; термопара R; термопара S; термопара T; термопара U
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 77,8÷86В; 5,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 77,8÷86В; 5,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
70В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 1.5A

197,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

12,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
0,37нКл
Корпус:
PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-5
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD