1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А
Немає в наявності
Код товару: SISS27ADN-T1-GE3
77,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS27ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 117нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 8,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: -50А
Струм стоку в імпульсі: -200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,02кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,02кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 31,4В; 33А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 31,4В; 33А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C

2572,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
28,2В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V

105,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Провід; ÖLFLEX® 409 CP; 4G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; ÖLFLEX® 409 CP; 4G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

356,06 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 111; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 111; THT; straight

259,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X6S; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X6S; ±10%; SMD; 0402

0,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD