Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SISS27DN-T1-GE3
72,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS27DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,14мкКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: -50А
Струм стоку в імпульсі: -200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C

0,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 154кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 154кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Роз’єм: провід-провід; затискання; чорний
Роз’єм: провід-провід; затискання; чорний

240,12 грн

Електричний монтаж:
затискання
Колір:
чорний
Тип роз’єму:
провід-провід
Pliers: universal; 160mm; Industrial; Blade: about 64 HRC
Pliers: universal; 160mm; Industrial; Blade: about 64 HRC

1279,15 грн

Type of pliers:
універсальний
Вид ізольованого проводу:
круглий; плоский
Вид щипці:
відігнуті; для захоплення і різання; півкруглі
Відповідність стандарту:
DIN ISO 5745
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷16мм; 10÷30ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷16мм; 10÷30ВDC; M18; IP67

2833,89 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...16мм
Загальна довжина:
75мм
Кількість пін:
4
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 0,7Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 0,7Н

103,90 грн

Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Робоча температура:
-25...80°C
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 16А; Iдіф: 30мА; Полюси: 2; 230В,240В; IP20
Аварійний вимикач; Iном: 16А; Iдіф: 30мА; Полюси: 2; 230В,240В; IP20

2470,86 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008
Властивості вимикачів:
N-полюс з лівого боку
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8