1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,8А; Idm: -27А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,8А; Idm: -27А
Немає в наявності
Код товару: SQ3457EV-T1_GE3
53,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ3457EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -6,8А
Струм стоку в імпульсі: -27А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; SPDT; Ch: 4; VQFN16; 1,65÷4,3ВDC
IC: аналоговий перемикач; SPDT; Ch: 4; VQFN16; 1,65÷4,3ВDC

52,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Кількість каналів:
4
Конфігурація виходу:
SPDT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷125°C
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷125°C

43,72 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид об'єднаної схеми:
буфер; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF

2,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 1206

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; ізольований,насадковий; 14мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; ізольований,насадковий; 14мм; 1/2"

939,56 грн

Вид ключа:
ізольований; насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; IEC 60900; VDE
Довжина насадки:
54мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

12,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
0,37нКл
Корпус:
PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-5
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD