1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -60А; Idm: -150А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -60А; Idm: -150А
Немає в наявності
Код товару: SISA01DN-T1-GE3
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISA01DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 84нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -20...16В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 8,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -60А
Струм стоку в імпульсі: -150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
X1-DFN1212-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт

28,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263