1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DI035P02PT
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI035P02PT
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: QFN3X3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 9,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 239,82Вт; 42ВDC; 5,71А; IP67
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 239,82Вт; 42ВDC; 5,71А; IP67

2733,78 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
42В DC
Вихідний струм:
5,71А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; H: 101мм; 5мкФ; 1,5кВDC; 630ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; H: 101мм; 5мкФ; 1,5кВDC; 630ВAC

1986,82 грн

Виводи:
гвинти М10
Висота:
101мм
Діаметр:
65мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; ±2,5÷5,5ВDC; VQFN12
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; ±2,5÷5,5ВDC; VQFN12

389,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7S; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7S; ±20%; SMD; 1210

16,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±20%
Трансформатор: мережевий; 400ВА; 400ВAC; 230В; гвинтовий; IP00
Трансформатор: мережевий; 400ВА; 400ВAC; 230В; гвинтовий; IP00

4881,53 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
230В
Електрична міцність ізоляції:
4кВ/60с
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; вертикальне; для проводу
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; вертикальне; для проводу

3,10 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальний струм:
1,5А
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
151нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerDI®3333-8