Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -30А

Немає в наявності
Код товару: SQ3481EV-T1_BE3
17,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ3481EV-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23,5нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4Вт
Струм стока: -7,5А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

1,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Симістор; 800В; 8А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™
Симістор; 800В; 8А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™

70,96 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220ABIns
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0805

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 18кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 18кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

0,35 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 7мм; 0,28"; Кільк.зн: 4; анод
Дисплей: LED; 7-сегментний; 7мм; 0,28"; Кільк.зн: 4; анод

65,89 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
7мм, 0,28"
К-ть знаків:
4
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 910Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 910Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD