1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А
Немає в наявності
Код товару: SI3483CDV-T1-E3
11,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3483CDV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 33нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 53мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,2Вт
Струм стока: -7А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Контейнер; 20700,21700; К-сть бат: 2; PCB,THM; для друку
Контейнер; 20700,21700; К-сть бат: 2; PCB,THM; для друку

601,24 грн

Виводи:
для друку
Кількість батарей:
2
Монтаж:
PCB; THM
Розмір осередку:
20700; 21700
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1135,33 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; ERJ8GEY
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; ERJ8GEY

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64,6нКл
Корпус:
TO263