Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -9,8А; Idm: -30А

Немає в наявності
Код товару: SI7421DN-T1-E3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7421DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 43мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,6Вт
Струм стока: -9,8А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; 512Кx16бит; 55нс; TSOP48; паралельний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; 512Кx16бит; 55нс; TSOP48; паралельний

137,48 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; односпрямована; ±5%; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; односпрямована; ±5%; SMBJ

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
8,5В
Реле: електромагнітнe; 28ВDC; на панель; ton/off: 15мс; toff: 15мс
Реле: електромагнітнe; 28ВDC; на панель; ton/off: 15мс; toff: 15мс

71682,17 грн

Матеріал контакту:
AgCdO
Монтаж:
на панель
Напруга котушки:
28В DC
Номінальний струм:
25А
Недоступний
Маркер: кабельний; 4÷10мм; ПВХ; прозорий; CLI T; UL94V-0; H: 30мм
Маркер: кабельний; 4÷10мм; ПВХ; прозорий; CLI T; UL94V-0; H: 30мм

7,48 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
30мм
Зовнішній діаметр проводу:
4...10мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A

676,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64,6нКл
Корпус:
TO263