Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -100А; Idm: -200А

Немає в наявності
Код товару: SI7155DP-T1-GE3
156,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7155DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 330нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: -100А
Струм стоку в імпульсі: -200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 4; прямий; для проводу; THT
Роз’єм: провід-плата; штекерний; PIN: 4; прямий; для проводу; THT

115,31 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
4
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 1.5A; 60V

82,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP32; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP32; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1

53,85 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PWM
Інтерфейс:
I2C; I2S x2; I3C; LPUART; SPI x2; UART x2; USART x2; USB
Кількість входів/виходів:
25
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V

109,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Викрутка: стандартний; плоскa; 4,5x0,8мм; SoftFinish®
Викрутка: стандартний; плоскa; 4,5x0,8мм; SoftFinish®

406,74 грн

Довжина леза:
125мм
Загальна довжина:
236мм
Матеріал стержня:
хром-молібден-ванадієва сталь
Розмір грота:
4,5x0,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-5...20В