Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -35А; Idm: -80А

Немає в наявності
Код товару: SIS443DN-T1-GE3
108,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS443DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 135нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 11,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Connector: for cards; Nano SIM; data transfer; push-pull; SMT
Connector: for cards; Nano SIM; data transfer; push-pull; SMT

40,55 грн

Connector family:
data transfer
Вид карти:
Nano SIM
Вид упаковки:
ролик
Висота:
1,2мм
Резистор: thick film; 330Ом; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 220кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 220кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263

345,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Монтаж:
SMD