1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -4,4А; Idm: -20А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -4,4А; Idm: -20А
Немає в наявності
Код товару: SI2319CDS-T1-BE3
18,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 108мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -4,4А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Connector: wire-board; socket; female; data; 600V; PIN: 5; 3.96mm
Connector: wire-board; socket; female; data; 600V; PIN: 5; 3.96mm

263,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
5
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V

56,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 137кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 137кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,98 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Вимикач максимального струму; 3,5А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P
Вимикач максимального струму; 3,5А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P

1102,38 грн

Виводи:
гвинтові виводи; конектори
Кількість полюсів:
1
Колір кнопки:
зелений
Монтаж:
snap-in
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; 0603
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; 0603

0,20 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
56пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,5А; Idm: -15А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,5А; Idm: -15А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD