1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,5А; Idm: -15А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,5А; Idm: -15А
Немає в наявності
Код товару: SIA929DJ-T1-GE3
58,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIA929DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 64мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 10м; вилка; 30ВDC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 10м; вилка; 30ВDC; 4А; PUR

1302,59 грн

Довжина кабелю:
10м
Індикація:
LED
Кількість діодів:
2
Кількість пін:
3; 4
Роз’єм: 7/8"; вилка; PIN: 9; гніздовий; промислова; IP67; ПВХ
Роз’єм: 7/8"; вилка; PIN: 9; гніздовий; промислова; IP67; ПВХ

6154,34 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
9
Недоступний
Резистор: thick film; 332кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 332кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN2020-6