Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -9А; Idm: -36А

Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -9А; Idm: -36А
Brand: VISHAY
SKU: SQA405CEJW-T1_GE3
Price: 9.88 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SQA405CEJW-T1_GE3

9,88 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQA405CEJW-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

34нКл

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-40В

Опір в стані провідності:

72,7мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

13,6Вт

Струм стока:

-9А

Струм стоку в імпульсі:

-36А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Діод: зенера; 500мВт; 22В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В

114,04 грн

Допуск:
±5%

Зенерівська напруга:
22В

Корпус:
DO35

Монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±5%

Імпульсна макс. напруга:
500В

Корпус - дюйм:
2010

Недоступний

Бажані

Універсальний шарнір; 1"; максимальний кут відхилення 35°

6890,53 грн

Type of socket accessories:
універсальний шарнір

Властивості інструментів:
максимальний кут відхилення 35°

Розмір гнізда тримача - дюйм:
1"

Недоступний

Бажані

Запобіжник: полімерний PTC; THT; 2,5А; Iмакс: 40А; MF-RX/72

32,50 грн

Вид упаковки:
розсипний

Застосування запобіжників:
стандартні застосування

Максимальна напруга:
72В

Максимальний струм:
40А

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; CRGP

2,62 грн

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Датчик: лазерний; PNP/NPN NO/NC; приймач-передавач (щілинний)

28326,82 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.

Глибина:
28мм

Кількість пін:
4

Клас герметичності:
IP67

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер PIC; 32кБ; 64МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD; туба

84,90 грн

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; HLVD; PoR

Інтерфейс:
I2C; SPI; UART; USART

Кількість входів/виходів:
35

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
58,4нКл

Корпус:
PDFN5060-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
PDFN3030-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9,6нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-5...20В