Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8А; Idm: -20А

Немає в наявності
Код товару: SI7309DN-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7309DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 146мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19,8Вт
Струм стока: -8А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм

4,43 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
4,7нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 510В; 570мА; односпрямована; ±5%; DO41; P4KE
Діод: TVS; 400Вт; 510В; 570мА; односпрямована; ±5%; DO41; P4KE

18,37 грн

Вид упаковки:
розсипний
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
434В
Корпус:
DO41
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A

17,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,4мм
Недоступний
Connector: IDC; male; data; PIN: 50; SEK Standard; straight; THT
Connector: IDC; male; data; PIN: 50; SEK Standard; straight; THT

266,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,9мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8