1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -3А; Idm: -10А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -3А; Idm: -10А
Немає в наявності
Код товару: SI2387DS-T1-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2387DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10,2нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -80В
Опір в стані провідності: 242мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -3А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка

0,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
4,45...11,1пФ
Зворотна напруга макс.:
10В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,7мм
Недоступний
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В

4681,33 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
DO9; DO205AB
Монтаж:
гвинтовий
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"

347,19 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
38мм
Розмір гнізда:
HEX 16мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

98,20 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263

345,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Монтаж:
SMD