1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -46А; 68Вт

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -46А; 68Вт
Немає в наявності
Код товару: SQJA81EP-T1_GE3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA81EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -80В
Опір в стані провідності: 17,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: -46А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; інвертор; SMD; SOIC20; -40÷85°C; котушка,cтрічка
IC: цифровий; інвертор; SMD; SOIC20; -40÷85°C; котушка,cтрічка

22,81 грн

Вид об'єднаної схеми:
інвертор
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Корпус:
SOIC20
Монтаж:
SMD
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C

209,07 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Інтерфейс:
GPIO; I2C; IrDA; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
20
Корпус:
UFQFPN32
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; 750мА; Iмакс: 5А; THT; 0ZRM
Запобіжник: полімерний PTC; 750мА; Iмакс: 5А; THT; 0ZRM

Максимальна напруга:
120В DC
Максимальний струм:
5А
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
0,75А
Недоступний
Резистор: thin film; 13,3кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 13,3кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; прямий; екранований; UNC 4-40; ABS
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; прямий; екранований; UNC 4-40; ABS

114,04 грн

Застосування роз’ємів:
D-Sub 25pin; D-Sub HD 44pin; плоский провід; роз'єми IDC
Матеріал корпусу:
ABS
Модель роз’єму:
екранований
Просторова орієнтація:
прямий
Блок живлення: імпульсний; AC/DC,відкритий; 20Вт; 100÷240ВAC
Блок живлення: імпульсний; AC/DC,відкритий; 20Вт; 100÷240ВAC

7266,86 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC; відкритий
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
1,7А
Вхідна напруга:
100...240В AC
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x15мм; осьовий; 24ВDC; 70,8м3/г; 37дБА
Вентилятор: DC; 80x80x15мм; осьовий; 24ВDC; 70,8м3/г; 37дБА

1076,41 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид підшипника:
кульковий
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8