Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -8В; -9А; Idm: -15А

Немає в наявності
Код товару: SIB417EDK-T1-GE3
14,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIB417EDK-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±5В
Напруга сток-джерело: -8В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13Вт
Струм стока: -9А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805

1,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NC
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NC

46,88 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

888,88 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V

89,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8