Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -110А; 270Вт

Немає в наявності
Код товару: IXTR140P10T
933,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTR140P10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 400нКл
Корпус: ISOPLUS247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 270Вт
Струм стока: -110А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 130нс
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 5,1нГн; 600мА; R: 0,12Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 5,1нГн; 600мА; R: 0,12Ом; LQW; 180мм

2,74 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
5,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201

3,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
0,8пФ
Датчик: тиску; 2069мбар; OUT: аналоговий; -40÷125°C
Датчик: тиску; 2069мбар; OUT: аналоговий; -40÷125°C

5658,90 грн

Діапазон вимірювання тиску:
2069мбар
Конфігурація виходу:
аналоговий
Робоча температура:
-40...125°C
Тип датчика:
тиску
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

0,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Резистор: thin film; 33,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 33,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм

17,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Опір:
33,2кОм
Потужність:
63мВт
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА

14600,88 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
11В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

809,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс

629,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251B
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251B

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO251B
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -19А; 68Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -19А; 68Вт; TO220AB

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23,3нКл
Корпус:
TO220AB