1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; TO252

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTY18P10T
254,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY18P10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: -18А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 62нс
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 77,8÷86В; 5,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 77,8÷86В; 5,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
70В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 1.5A

197,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD