Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -210А; 1040Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -210А; 1040Вт
Brand: IXYS
SKU: IXTK210P10T
Price: 1358.97 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXTK210P10T

1358,97 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXTK210P10T

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

740нКл

Корпус:

TO264

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±15В

Напруга сток-джерело:

-100В

Опір в стані провідності:

7,5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,04кВт

Струм стока:

-210А

Технологія:

TrenchP™

Тип транзистора:

P-MOSFET

Час готовності:

200нс

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; TO220AB

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; 42Вт; IPAK,TO251

91,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
IPAK; TO251

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -350В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт

136,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -10А; 83Вт; 120нс

130,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -76А; 298Вт; 70нс

399,14 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
197нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -30А; 190Вт; 260нс

448,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
103нКл

Корпус:
ISOPLUS247™