Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -26А; 150Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: IXTY26P10T
285,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY26P10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: -26А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 70нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC

324,38 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
280нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK

178,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В