Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -15А; 150Вт; 116нс

Немає в наявності
Код товару: IXTP15P15T
291,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -150В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: -15А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 116нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

198,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 80; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 80; THT; 3A; 100V

912,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: FPGA; SMD; TQFP100; I/O: 81; лоток; 2,5В
IC: FPGA; SMD; TQFP100; I/O: 81; лоток; 2,5В

8445,27 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
81
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

168,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Вхідний поляризаційний струм:
15нА
Недоступний
Резистор: thick film; 63,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 63,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F

425,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220F
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC