Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTA120P065T
317,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA120P065T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -65В
Опір в стані провідності: 10мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 298Вт
Струм стока: -120А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 53нс
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1мм
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 9,09кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Резистор: thick film; 200мкОм; SMD; 3921; 12Вт; ±1%; CSS; -55÷170°C
Резистор: thick film; 200мкОм; SMD; 3921; 12Вт; ±1%; CSS; -55÷170°C

53,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
3921
Корпус - мм:
10052
Недоступний
Для передачі даних; -55÷125°C; HF-U; 100ВDC; 7,5А; 100пФ
Для передачі даних; -55÷125°C; HF-U; 100ВDC; 7,5А; 100пФ

16693,51 грн

Ємність:
0,1нФ
Максимальна напруга:
100В DC
Максимальний струм:
7,5А
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 2кБSRAM; QFN-S28; DSPIC; 0,65мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 2кБSRAM; QFN-S28; DSPIC; 0,65мм

218,58 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PPS; PWM; rail-to-rail; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; JTAG; LIN; SMBus; SPI; UART
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 14бит; 65Мsps; VQFN48; 1,8÷3,3ВDC
IC: перетворювач D/A; 14бит; 65Мsps; VQFN48; 1,8÷3,3ВDC

0,00 грн

Інтерфейс:
SPI
Корпус:
VQFN48
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8...3,3В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V

72,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23

9,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,45нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252