Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; ESD

Немає в наявності
Код товару: QS8J2TR
70,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QS8J2TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: TSMT8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 132мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -12А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Трансформатор: мережевий; 20ВА; 230ВAC; 14В; 1,42А; на шину DIN
Трансформатор: мережевий; 20ВА; 230ВAC; 14В; 1,42А; на шину DIN

973,77 грн

Виводи:
затискна планка
Використання:
для домофонів; для переривистого режиму роботи
Вторинна напруга 1:
14В
Монтаж:
на шину DIN
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 200мА; Iмакс: 100А; PTS1206; 1206
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 200мА; Iмакс: 100А; PTS1206; 1206

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Застосування запобіжників:
датчики; електронні додатки; захист побутової техніки; ігрові приставки; материнські плати ПК; мобільні телефони; приводи двигунів DC; пристрої пост. струму
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1,5нФ
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; ролик,cтрічка
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; ролик,cтрічка

17,74 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6