Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,7А; 1,5Вт; MicroFET

Немає в наявності
Код товару: FDMA1023PZ
20,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FDMA1023PZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: MicroFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,195Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -3,7А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Датчик: тиску; 10мбар÷1,2бар; абсолютний; OUT: I2C / SPI; SMT
Датчик: тиску; 10мбар÷1,2бар; абсолютний; OUT: I2C / SPI; SMT

299,04 грн

Діапазон вимірювання тиску:
10мбар...1,2бар
Конфігурація виходу:
I2C / SPI
Монтаж:
SMT
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 400В; Ufmax: 1,6В; If: 25А
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 400В; Ufmax: 1,6В; If: 25А

3496,58 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
зворотний діод
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Модель:
mодуль
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: TVS; 17,1В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 17,1В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

764,07 грн

Зворотна напруга макс.:
13,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
17,1В
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 2; Властивості: rail-to-rail
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 2; Властивості: rail-to-rail

43,72 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1196,15 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6/5,4нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD