1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: QS6K1TR
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QS6K1TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,7нКл
Корпус: TSMT6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 364мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 1А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Кінцевий датчик; осердя; NO; 10А; PG11; IP40; 84x46x40мм; -25÷70°C
Кінцевий датчик; осердя; NO; 10А; PG11; IP40; 84x46x40мм; -25÷70°C

1765,71 грн

Вид головки:
осердя
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація виходу:
NO
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; I2C; 5кОм; 8бит; TSSOP20; SMD; Ch: 4; туба
IC: цифровий потенціометр; I2C; 5кОм; 8бит; TSSOP20; SMD; Ch: 4; туба

125,44 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Max INL:
±1LSB
Вид пам’яті:
енергонезалежний
Вид упаковки:
туба
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ

53,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
C
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

17,74 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: гибридний; H: 9,5мм; 47мкФ; 50ВDC; 1,25А; THT; ZC-A
Конденсатор: гибридний; H: 9,5мм; 47мкФ; 50ВDC; 1,25А; THT; ZC-A

35,16 грн

Висота:
9,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; підвищена температура пайки
Діаметр:
8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2APB
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2APB

11,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6