Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2,5А; 1,67Вт; SC74,TSOP6

Немає в наявності
Код товару: SQ3989EV-T1_GE3
13,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ3989EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,14Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,67Вт
Струм стока: -2,5А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,43 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 10мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; ERJ8BWJ; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; ERJ8BWJ; -55÷155°C

7,41 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 10А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 10А; 10A/250ВAC

333,88 грн

Зовнішні розміри:
29x12,4x25мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

39,28 грн

Alias:
KGM31ACG1E103JU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 390пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 390пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм

3,32 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,39нФ
Монтаж:
THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 0÷134мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 0÷134мА

535,35 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0...134мА
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20/15нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD