Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт

Немає в наявності
Код товару: UM6J1NTN
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: UM6J1NTN
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: UMT6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 2,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,15Вт
Струм стока: -0,2А
Струм стоку в імпульсі: -400мА
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; 5кОм; 7бит; QFN20; SMD; Ch: 4
IC: цифровий потенціометр; SPI; 5кОм; 7бит; QFN20; SMD; Ch: 4

70,32 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Max INL:
±0,5LSB
Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Діод: TVS; 200Вт; 7,78÷8,6В; 16,67А; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 7,78÷8,6В; 16,67А; односпрямована; SOD123F

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
7В
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0805

1,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/1,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363