1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AO4813
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AO4813
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 9,6нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: -5,6А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 30÷130мм; 12÷28ВDC; OADR
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 30÷130мм; 12÷28ВDC; OADR

198806,00 грн

Дальність:
30...130мм
Зовнішні розміри:
20,3x65x51мм
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Вимикач потужності; Полюси: 3; на панель,на шину DIN; Iном: 400А
Вимикач потужності; Полюси: 3; на панель,на шину DIN; Iном: 400А

29183,39 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
65кА
Діапазон налаштування захисту:
320...400А
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 12,8В; SMD; DO213AA; 15мкА
Діод: зенера; 500мВт; 12,8В; SMD; DO213AA; 15мкА

5814,12 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
12,8В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 130 H; 25G0,75мм2; неекранований; Cu
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 130 H; 25G0,75мм2; неекранований; Cu

748,23 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 250V

275,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
340пФ
Зворотна напруга макс.:
40В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/1,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
DFN6
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363